场效应管，也叫MOS管，是一种使用高电场效应控制通道电阻的半导体器件。常用于模拟电路和数字电路中。这种器件的核心部分是MOS结构，MOS结构是金属、氧化物和半导体之间的结构。
MOS管是由源极、漏极和栅极三个电极构成。通过控制栅极电势，可以改变MOS管的电阻及导通状态。MOS管的工作原理基于电场效应管的结构，如同人的大脑，在感受器官或神经元发出信号，传递到大脑皮层，激发机体的反应。
在MOS管中，介电层的电容与栅极电压成反比例关系，当使栅极电压大于半导体导通阈值时，栅极和沟道之间形成反型结，使沟道上形成空穴或电子的低阻态，导通电流从源极流向漏极。当栅极电压为零或较小值时，MOS管处于截止状态。
